- 英
- crystal growth
- 関
- 結晶化
Wikipedia preview
出典(authority):フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』「2014/11/10 01:35:12」(JST)
[Wiki ja表示]
結晶成長(けっしょうせいちょう、英語: crystal growth)とは、単結晶である支持結晶基板や種結晶を元にして、その結晶を増大させることである。結晶の原子の配列等を保ったまま結晶を増大させることを特にエピタキシャル成長という。多結晶等を付着させる場合は結晶成長ではなく堆積である。
大型の結晶を作成する手法として、チョクラルスキー法(Czochralski = CZ法) などがある。
支持結晶基板に対してエピタキシャル成長する手法として、有機金属気相成長 (MOVPE: Metal-organic vapor phase epitaxy)や、分子線エピタキシー (MBE: Molecular beam epitaxy)、ハイドライド気相成長 (HVPE: Hydride vapor phase epitaxy)、液層成長法 (LPE: Liquid phase epitaxy) 等があり、各用途に用いられている。
関連項目
- 鉱物学
- 結晶
- 合金
- 固溶体
- ガラス転移
- コロイド
- 転位
- KPZ方程式
- en:Wulff construction
外部リンク
UpToDate Contents
全文を閲覧するには購読必要です。 To read the full text you will need to subscribe.
Japanese Journal
- 炭酸カルシウム結晶多形の転移と結晶成長に及ぼす材料表面溶出イオンの影響
- 日本金属学会誌 = Journal of the Japan Institute of Metals and Materials 81(2), 89-96, 2017-02
- NAID 40021075870
- sapphire基板上へのコランダム構造酸化ガリウムの成長と電気特性制御 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(358), 107-111, 2016-12-12
- NAID 40021060175
- コランダム構造n型およびp型ワイドギャップ酸化物半導体の結晶成長と応用 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(358), 85-88, 2016-12-12
- NAID 40021060131
Related Links
- 研究会や分科会、結晶成長若手の会の情報。
- 祝 本会会員 赤﨑勇先生、天野浩先生 2014年度ノーベル物理学賞受賞! 第39回結晶成長討論会 第45回結晶成長国内会議(NCCG-45) 2015年度学会賞公募 平成26年度日本結晶成長学会賞受賞者紹介 日本結晶成長学会40周年記念事業
Related Pictures
★リンクテーブル★
[★]
- 英
- crystallization、crystallisation、crystallize
- 関
- 結晶成長、晶出
[★]
- 関
- crystallization
[★]
- 英
- growth、outgrowth、grow、outgrow、development
- 関
- 発育、伸長、増殖、伸びる、発達、生育
- 二次性徴
|
身長(cm)
|
体重(kg)
|
頭囲(cm)
|
胸囲(cm)
|
生下時
|
50
|
|
3
|
(x2)
|
33
|
32
|
3ヶ月
|
60
|
|
6
|
|
|
|
6ヶ月
|
70
|
|
8
|
|
|
|
1歳
|
75
|
(x1.5)
|
9
|
(x3)
|
45
|
45
|
2歳
|
|
|
|
(x4)
|
|
|
3歳
|
94
|
|
14
|
|
49
|
50
|
4歳
|
|
(x2)
|
|
(x5)
|
|
|
5歳
|
|
|
|
(x6)
|
|
|
ホルモン
検査値
- 1歳でIgMは成人と同程度
- MAGE → IgM, IgA, IgG, IgEの順に成人値と同じレベルとなる。