- 英
- extinction coefficient
- 関
- 吸光係数、消光率
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Japanese Journal
- 内部量子効率100%のPD技術とオンチップ高透過積層膜を組み合わせた紫外光高感度・高信頼性Siフォトダイオード (シリコン材料・デバイス)
- 幸田 安真,黒田 理人,中尾 幸久 [他]
- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(247), 21-25, 2013-10-17
- NAID 40019867072
- 内部量子効率100%のPD技術とオンチップ高透過積層膜を組み合わせた紫外光高感度・高信頼性Siフォトダイオード(プロセス科学と新プロセス技術)
- 幸田 安真,黒田 理人,中尾 幸久,須川 成利
- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 113(247), 21-25, 2013-10-10
- … 紫外光帯域を含む広光波長帯域の光に対し高感度で,かつ経時的な感度劣化を生じないセンサ実現のために,高い内部量効率を得るフォトダイオード形成技術と,SiO_2と消衰係数の低いSiNから成るオンチップ高透過積層膜とを組み合わせたフォトダイオードの作製・評価を行った.本報告では,試作したフォトダイオードで紫外光に対し高い感度と高い耐性を得た結果を示し,また積層膜の構成や膜厚を制御することで,所望の波 …
- NAID 110009821552
- オンチップ高透過積層膜を有する紫外光高感度・高信頼性Siフォトダイオード(高機能イメージセンシングとその応用)
- 幸田 安真,黒田 理人,中澤 泰希 [他],中尾 幸久,須川 成利
- 映像情報メディア学会技術報告 37(22), 37-40, 2013-05-24
- … 紫外光帯域を含む広光波長帯域の光に対し高感度で,かつ経時的な感度劣化を生じないセンサ実現のために,高い内部量効率を得るフォトダイオード形成技術と,SiO_2と消衰係数の低いSiNから成るオンチップ高透過積層膜とを組み合わせたフォトダイオードの作製・評価を行った.本報告では,試作したフォトダイオードで紫外光に対し高い感度と高い耐性を得た結果を示し,また積層膜の構成や膜厚を制御することで,所望の波 …
- NAID 110009612796
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- 吸収係数αと消衰係数kの間には、以下の関係があります。 α=4πk/λ 吸収係数が求まることで、材料の光学バンドギャップ（Tauc plotを利用）を求めることができます。
★リンクテーブル★
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- 英
- extinction coefficient
- 関
- 吸光係数、消衰係数
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- 英
- extinction coefficient
- 関
- 消光率、消衰係数
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[★]
- 英
- extinction、evanescens、evanescent、extinct
- 関
- 吸光、吸光度、消去、消光、絶滅、エバネッセント、消退
[★]
- 英
- number、count、numeral
- 関
- ナンバー、数値、数える、カウント、番号をつける、数字、数詞
[★]
- 英
- coefficient、modulus、moduli