- 英
- postsynaptic potential PSP
- 同
- シナプス電位 synaptic potential
- 関
- シナプス
UpToDate Contents
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Japanese Journal
- ナノディスクアレイ構造とCMOS回路を結合したスパイキングニューロンデバイス(ニューロコンピューティングの実装及び人間科学のための解析・モデル化,一般)
- 梁 海超,森江 隆,孫 意来,五十嵐 誠,寒川 誠二
- 電子情報通信学会技術研究報告. NC, ニューロコンピューティング 111(241), 125-129, 2011-10-12
- … 能に直結する.そこで,我々はニューロン部をCMOS回路で実現し,シナプス部を微細化が可能な自己組織化ナノ構造で実現するデバイス構成法を提案し,単電子回路シミュレーションによりシナプス部の応答特性を調べてきた.本報告では,シナプス後電位の生成およびその制御法を示すとともに,ナノ構造中の電子の移動におけるゆらぎを利用して,ノイズを伴うスパイキングニューロンモデルを実現する手法について検討する. …
- NAID 110008900440
- 運動切り替え時に見られるLEPベータ振動の変化(ニューロコンピューティングの実装及び人間科学のための解析・モデル化,一般)
- 保坂 亮介,中島 敏,合原 一幸,山口 陽子,虫明 元
- 電子情報通信学会技術研究報告. NC, ニューロコンピューティング 111(241), 23-28, 2011-10-12
- … LFPはシナプス後電位の空間和を反映し、振動の出現は細胞同期を示唆する。 …
- NAID 110008900423
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- そして拡散した神経伝達物質がシナプス後細胞に存在する受容体に結合することで 刺激が伝達されて行く。 化学シナプスにおける典型的な情報伝達機序は以下のように 進む。 前シナプス細胞の軸索を活動電位が伝わり、末端にある膨らみであるシナプス小 頭 ...
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★リンクテーブル★
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- 英
- synaptic potential
- 関
- シナプス後電位、神経インパルス
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- 関
- postsynaptic potential
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- 関
- p.s.p.
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- 英
- excitatory postsynaptic potential, EPSP (SP)
- シナプス後ニューロンの膜にある受容体に神経伝達物質が結合すると、その膜のイオン透過性が変わり、シナプス後電位が発生する。興奮性のシナプスではEPSPが発生し、それが活動電位の閾値を超すとインパルスが発生する(SP.129-130)
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- 英
- inhibitory postsynaptic potential, IPSP
- Clチャネルの開口により過分極して生じる電位 (PT.70)
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- 英
- voltage、potential、electrical potential、electric potential
- 関
- 可能、可能性、潜在的、ボルテージ、ポテンシャル、有望、電圧
[★]
- 英
- synapse
- 関
- ニューロン
- 神経細胞間における情報伝達のために特殊化した接合部をいう。