- 英
- silicon、Si
- 関
- シリコン、硅素、珪素
WordNet
- a tetravalent nonmetallic element; next to oxygen it is the most abundant element in the earths crust; occurs in clay and feldspar and granite and quartz and sand; used as a semiconductor in transistors (同)Si, atomic number 14
PrepTutorEJDIC
- ケイ素(非金属元素;化学記号はSi)
- siliconの化学記号
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出典(authority):フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』「2015/06/01 11:44:32」(JST)
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「シリコン」はこの項目へ転送されています。
- ケイ素原子を含む高分子化合物全般については「シリコーン」をご覧ください。
- シリコーン等のケイ素化合物を主成分とする合成樹脂については「ケイ素樹脂」をご覧ください。
- ケイ素樹脂のうち、ゴム状のものについては「シリコーンゴム」をご覧ください。
|
|
外見 |
暗灰色
ケイ素のスペクトル線 |
一般特性 |
名称, 記号, 番号 |
ケイ素, Si, 14 |
分類 |
半金属 |
族, 周期, ブロック |
14, 3, p |
原子量 |
28.0855(3) |
電子配置 |
[Ne] 3s2 3p2 |
電子殻 |
2, 8, 4(画像) |
物理特性 |
相 |
固体 |
密度(室温付近) |
2.3290 g·cm-3 |
融点での液体密度 |
2.57 g·cm-3 |
融点 |
1687 K, 1414 °C, 2577 °F |
沸点 |
2628 K, 2355[1] °C, 4271 °F |
融解熱 |
50.21 kJ·mol-1 |
蒸発熱 |
359 kJ·mol-1 |
熱容量 |
(25 °C) 19.789 J·mol-1·K-1 |
蒸気圧 |
圧力 (Pa) |
1 |
10 |
100 |
1 k |
10 k |
100 k |
温度 (K) |
1908 |
2102 |
2339 |
2636 |
3021 |
3537 |
|
原子特性 |
酸化数 |
4, 3 , 2 , 1[2] -1, -2, -3, -4
(両性酸化物) |
電気陰性度 |
1.90(ポーリングの値) |
イオン化エネルギー
(詳細) |
第1: 786.5 kJ·mol-1 |
第2: 1577.1 kJ·mol-1 |
第3: 3231.6 kJ·mol-1 |
原子半径 |
111 pm |
共有結合半径 |
111 pm |
ファンデルワールス半径 |
210 pm |
その他 |
結晶構造 |
立方晶系 |
磁性 |
反磁性[3] |
電気抵抗率 |
(20 °C) 103 [4]Ω·m |
熱伝導率 |
(300 K) 149 W·m-1·K-1 |
熱膨張率 |
(25 °C) 2.6 µm·m-1·K-1 |
音の伝わる速さ
(微細ロッド) |
(20 °C) 8433 m/s |
ヤング率 |
185[4] GPa |
剛性率 |
52[4] GPa |
体積弾性率 |
100 GPa |
ポアソン比 |
0.28[4] |
モース硬度 |
7 |
CAS登録番号 |
7440-21-3 |
バンドギャップ energy at 300 K |
1.12 eV |
最安定同位体 |
詳細はケイ素の同位体を参照 |
同位体 |
NA |
半減期 |
DM |
DE (MeV) |
DP |
28Si |
92.23 % |
中性子14個で安定 |
29Si |
4.67 % |
中性子15個で安定 |
30Si |
3.1 % |
中性子16個で安定 |
32Si |
syn |
170 y |
β- |
13.020 |
32P |
|
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|
ケイ素(ケイそ、珪素、硅素、英: silicon、羅: silicium)は、原子番号14の元素である。元素記号は Si。「珪素」「硅素」「シリコン」とも表記・呼称される。地球の主要な構成元素のひとつ。半導体部品は非常に重要な用途である。
常温・常圧で安定な結晶構造は、ダイヤモンド構造。比重は2.33、融点1410 °C (1420 °C)、沸点は2600 °C(他に2355 °C、3280 °Cという実験値あり)。ダイヤモンド構造のケイ素は、1.12 eVのバンドギャップ(実験値)をもつ半導体である。これは非金属であるが、圧力(静水圧)を加えるとβスズ構造に構造相転移する。このβスズ構造のケイ素は金属である。周期表においてすぐ上の元素は炭素だが、その常温常圧での安定相であるグラファイト構造は、ケイ素においては安定な構造として存在できない。
目次
- 1 歴史
- 2 概要
- 3 用途
- 3.1 赤外光学系
- 3.2 半導体
- 3.3 ケイ素含有合金
- 3.4 ケイ素含有セラミックス類
- 4 ケイ酸塩・ケイ素樹脂
- 5 製法
- 6 ケイ素化合物
- 7 同位体
- 8 脚注
- 9 参考文献
- 10 関連項目
- 11 外部リンク
歴史
1787年にアントワーヌ・ラヴォワジエがはじめて元素として記載し、ラテン語で「燧石」を意味する "silex"・"silicis" にちなみ "silicon" と命名。だがラヴォワジエは燧石そのものを元素だと思っており、1800年になってハンフリー・デービーにより化合物と判明したことからこれは否定された。1823年にイェンス・ベルセリウスが四フッ化ケイ素とカリウムを加熱して単離に成功した。しかし、それ以前の1811年、ジョセフ・ルイ・ゲイ=リュサックとルイ・テナールが同様の方法でアモルファスシリコンの分離に成功したと考えられている。
概要
地殻中に大量に存在するため鉱物の構成要素として重要であり、ケイ酸塩鉱物として大きなグループを形成している。これには Si-O-Si 結合の多様性を反映したさまざまな鉱物が含まれている。しかしながら生物とのかかわりは薄く、知られているのは、放散虫・珪藻・シダ植物・イネ科植物などにおいて二酸化ケイ素のかたちでの骨格への利用に留まる。栄養素としての必要性はあまり判っていない。炭素とケイ素との化学的な類似から、SF などではケイ素を主要な構成物質とするケイ素生物が想定される事がある。
バンドギャップが常温付近で利用するために適当な大きさであること、ホウ素やリンなどの不純物を微量添加させることにより、p型半導体、n型半導体のいずれにもなることなどから、電子工学上重要な元素である。半導体部品として利用するためには高純度である必要があり、このため精製技術が盛んに研究されてきた。現在、ケイ素は99.9999999999999 % (15N[5]) まで純度を高められる。また、Si(111) 基板はAFMやSTMの標準試料としてよく用いられる。
用途
赤外光学系
ケイ素は赤外域(波長2-6 μm)で高い透過率があり、レンズや窓の素材に用いられる。波長4 μmの屈折率は3.4255[6]。
半導体
最も重要な用途としては、四塩化ケイ素やトリクロロシランなどから作られる高純度ケイ素が半導体作成に用いられることが挙げられる。また、液晶ディスプレイの TFT や太陽電池にはアモルファスシリコンや多結晶シリコンなどが用いられる。ヒ化ガリウムや窒化ガリウムなどの化合物半導体の基板にシリコンを用いれば大幅な低価格化が可能であり、様々な研究が進められている。
ケイ素含有合金
電気炉における製鉄材料として鉄1トンあたり4 kg前後のケイ素が添加されるほか、ケイ素合金として製鉄の脱酸素剤に用いられる。そのほかに、ケイ素を混ぜた鋼板(ケイ素鋼板)は、うず電流による損失が少なくなるため、変圧器に使われている。アルミニウム工業の分野でもケイ素の合金が使われている。また、鉛レス黄銅にも添加される。
ケイ素含有セラミックス類
ケイ素の酸化物(シリカ)を原料とするガラスは、窓その他で使われるほか、繊維状にしたグラスウールは断熱材や吸音材としても用途がある。ゼオライトは、イオン交換体、吸着剤あるいは、有機化学工業における触媒ともなっている。シリカゲルは、非常に利用しやすい乾燥剤になる。
炭化ケイ素は、耐火材や抵抗体として使われたり、高いモース硬度 (9.5) を持つために、研磨剤として使われる。その他のケイ素化合物として、アルミノケイ酸塩が粘土に含まれ、陶器やセメント・煉瓦などセラミックスと呼ばれる材料の主成分になっているほか、カルシウム化合物を除去する働きから、水の精製に使われるなどしている。
ケイ酸塩・ケイ素樹脂
ケイ酸塩は、さまざまな形で地殻上に存在しており、天然に存在するケイ素化合物のほとんどすべてが二酸化ケイ素およびケイ酸塩である。工業的にも広く用いられ、ガラス、陶磁器など、枚挙に暇がない。アスベストは、繊維状のケイ酸塩鉱物であり、その耐薬品性や耐火性から以前は建材などに広く用いられたが、人体への悪影響が問題になったため、使用量は激減している。日本ではアスベストによる健康被害が社会問題となり、労災認定や健康被害を受けた国民に対しての補償問題、また、依然として多く残るアスベストの撤去に対しての問題を抱える。
有機基を有するケイ素二次元および三次元酸化物はシリコーンと呼ばれる。このものは、優れた耐熱性、耐薬品性、低い毒性などの有用な性質を示し、油状のものはワックス、熱媒体、消泡剤などに用いられる。三次元シリコーンはゴム弾性を示し、ゴム状のものはホースやチューブ、樹脂状のものは塗料や絶縁材、接着剤など各種の用途に利用される。
製法
原料
工業用ケイ素の主原料は SiO2 から成る二酸化ケイ素(珪石、珪砂、シリカとも)である。日本国内の埋蔵量は2億トンあるとされるが、アルミニウムと同様、酸化物から還元するには大量の電力を必要とするため、金属シリコンの状態になってから輸入するのが一般的である。
世界の二酸化ケイ素の埋蔵量は極めて潤沢であり、高純度のものも世界に広く分布する[7]。二酸化ケイ素#埋蔵量を参照。
精製
- 金属グレード (MG) シリコン
- ケイ素の単体はカーボン電極を使用したアーク炉を用いて、二酸化ケイ素を還元して得る。この際、精製されたケイ素は純度99%程度のものである。
SiO2 + C → Si + CO2
SiO2 + 2 C → Si + 2 CO
- 高純度ポリシリコン
- さらに純度を高めるには、塩素と反応させ四塩化ケイ素とし(ガス化)、これを蒸留して純度の高い製品を得る。
Si + 2 Cl2 → SiCl4
SiCl4 + 2 H2 → Si + 4 HCl
- 半導体グレード (SEG) シリコン
- 集積回路など半導体素子に使用する超高純度のケイ素(純度 11N 以上)は、上記の高純度シリコンからさらに FZ(フローティングゾーン)法などのゾーンメルティングや Cz(チョクラルスキー)法などの単結晶成長法による析出工程を経ることで製造される。ゾーンメルト法では融解帯に不純物が濃縮する過程を繰り返すことで高純度のケイ素を得る。Cz 法においては偏析を利用して高純度化するため、原料であるポリシリコン(多結晶珪素)には非常に純度の高いものが要求される。半導体に利用するには基本的に結晶欠陥(転位)のない単結晶が必要なので、FZ 法においても Cz 法においても単結晶を回転させながら一旦細くし、転位を外に追い出した段階で結晶の径を大きくすることにより所定の大きさの結晶を得る。FZ 法は大口径化に向かないため、産業用に使用されているシリコンウェーハの大部分は Cz 法によって製造されている。現在製品化されているシリコンウェーハの径は直径300 mmまでである。
- 太陽電池グレード (SOG) シリコン
- 太陽電池には SEG グレードほどの超高純度は必要なく、7N 程度の純度で済み、また多結晶でも良い。このため上記の単結晶シリコンインゴットの端材などが原料に利用されてきたが、需要の増大に伴い、専用の太陽電池グレード(ソーラーグレード)シリコンの生産法が開発されている。手順としては上記の半導体グレードの精製工程を簡略化した方法のほか、下記のような手法が用いられる。半導体グレードに比べ、使用するエネルギーやコストが数分の1以下になるとされる手法が多い(ソーラーグレードシリコンを参照)。
- 流動床炉 (FBR) 法:種結晶を気流で巻き上げながら、表面にシリコンを析出させる。
- 冶金法:金属グレードシリコンから冶金学的手法によって直接ソーラーグレードシリコンを製造する。
- 水ガラス化法:珪石 (SiO2) を水ガラス化した状態で高純度化してから還元する。
- NEDO溶融精製法:金属グレードシリコンを電子ビームやプラズマで溶融させて特定の不純物を除いたあと、一方向凝固させる。
- ソーラーグレードシリコンは2006年頃には高純度シリコン市場の約半分を占め、今後もその割合は拡大すると見られている[8]。今後はソーラーグレードが高純度シリコン生産量の大部分を占め、半導体級は特殊品になっていくと予測されている[9]。また太陽電池用シリコン原料は2008年までは供給の逼迫で価格が高止まりしていたが、2009年からは価格の低下が予測されている[10]。
ケイ素化合物
- 一酸化ケイ素 (SiO)
- 二酸化ケイ素 (SiO2) - 石英など
- ケイ酸
- 窒化ケイ素 (Si3N4)
- 炭化ケイ素 (SiC)
- ケイ酸塩 (MgSiO3 など)
- 四塩化ケイ素 (SiCl4) - 煙幕
- シラン (SiH4)
- シリコーン
- ケイ素樹脂
- 環状シロキサン (D3, D4 など)
- 有機ケイ素化合物 - トリメチルシリル基 (-Si(CH3)3) などを有する有機化合物。保護基や脱離基として有機合成に汎用されている。
同位体
詳細は「ケイ素の同位体」を参照
脚注
- ^ T. Michael Duncan, Jeffrey Allen Reimer, Chemical engineering design and analysis: an introduction, p. 25, Cambridge University Press, 1998 ISBN 0521639565
- ^ R. S. Ram et al. "Fourier Transform Emission Spectroscopy of the A2D–X2P Transition of SiH and SiD" J. Mol. Spectr. 190, 341–352 (1998)
- ^ Magnetic susceptibility of the elements and inorganic compounds, in Handbook of Chemistry and Physics 81st edition, CRC press.
- ^ a b c d http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/Si
- ^ 「9」(Nine)が15個並ぶことを意味する略称。
- ^ 岸川利郎 (1990). ユーザーエンジニアのための光学入門. オプトロニクス. ISBN 4-900474-30-4.
- ^ SAND AND GRAVEL(INDUSTRIAL), アメリカ地質調査所
- ^ Wacker Polysilicon: Expansion Announcement June 2006(Wacker 社による生産量拡大のアナウンス資料)
- ^ 河本洋、奥和田久美、高純度シリコン原料技術の開発動向(科学技術政策研究所)
- ^ New Energy Finance Predicts 43% Solar Silicon Price Drop, greentechmedia, 18 August 2008
参考文献
- SOG 製法
- 山田興一・小宮山宏「太陽光発電工学」ISBN 4-8222-8148-5
- 小長井誠「薄膜太陽電池の基礎と応用」ISBN 4-274-94263-5
- SEG 製法 シリコンウェーハ
- 志村史夫「半導体シリコン結晶工学」ISBN 4-621-03876-1
関連項目
- 半導体工学
- シリコンバレー
- 珪藻
- プラント・オパール
- ケイ素生物
外部リンク
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ウィキメディア・コモンズには、ケイ素に関連するメディアがあります。 |
- 珪素 - 「健康食品」の安全性・有効性情報 (国立健康・栄養研究所)
- 国際化学物質安全性カード ケイ素 - 国立医薬品食品衛生研究所
周期表(未発見元素を含む) |
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アルカリ金属 |
アルカリ土類金属 |
ランタノイド |
アクチノイド |
遷移金属 |
その他の金属 |
半金属 |
その他の非金属 |
ハロゲン |
希ガス |
不明 |
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ケイ素の化合物 |
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二元化合物 |
SiBr2 · SiBr4 · SiC · SiCl2 · SiCl4 · SiF2 · SiF4 · SiH4 · Si2H6 · SiI4 · Si(N3)4 · Si3N4 · SiO · SiO2 · SiS2
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三元化合物 |
H2SiF6 · H2SiO3 · H4SiO4 · Si(CH3)4 · Si(C2H5)4
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UpToDate Contents
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Japanese Journal
- 炭化ケイ素基板研磨のための電界砥粒分布制御研磨に関する研究 : 電界による研磨率向上メカニズムの検討
- 窒化ケイ素系セラミックスの粒界相低減と工具特性 (特集 バルクセラミックスの信頼性革新)
- 光岡 健,波多野 祐規
- Ceramics Japan = セラミックス : bulletin of the Ceramic Society of Japan 48(1), 52-56, 2013-01-00
- NAID 40019536655
- 塩素系ガスによるSiCのプラズマレス・エッチング (シリコン材料・デバイス)
- 畑山 智亮,堀 良太,田村 哲也 [他]
- 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 112(337), 7-12, 2012-12-07
- NAID 40019546086
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Japan Pharmaceutical Reference
薬効分類名
販売名
セチリジン塩酸塩錠5mg「タナベ」
組成
成分・含量(1錠中)
添加物
- 乳糖水和物,結晶セルロース,低置換度ヒドロキシプロピルセルロース,二酸化ケイ素,ステアリン酸マグネシウム,ヒプロメロース,マクロゴール6000,酸化チタン,カルナウバロウ
禁忌
- 本剤の成分又はピペラジン誘導体(レボセチリジン,ヒドロキシジンを含む)に対し過敏症の既往歴のある患者
- 重度の腎障害(クレアチニンクリアランス10mL/min未満)のある患者〔高い血中濃度が持続するおそれがある.〕
効能または効果
〔成人〕
- アレルギー性鼻炎,蕁麻疹,湿疹・皮膚炎,痒疹,皮膚そう痒症
〔小児〕
- アレルギー性鼻炎,蕁麻疹,皮膚疾患(湿疹・皮膚炎,皮膚そう痒症)に伴うそう痒
〔錠10mg〕
- 通常,成人にはセチリジン塩酸塩として1回10mgを1日1回,就寝前に経口投与する.
なお,年齢,症状により適宜増減するが,最高投与量は1日20mgとする.
〔錠5mg〕
〔成人〕
- 通常,成人にはセチリジン塩酸塩として1回10mgを1日1回,就寝前に経口投与する.
なお,年齢,症状により適宜増減するが,最高投与量は1日20mgとする.
〔小児〕
- 通常,7歳以上15歳未満の小児にはセチリジン塩酸塩として1回5mgを1日2回,朝食後及び就寝前に経口投与する.
- 腎障害患者では,血中濃度半減期の延長が認められ,血中濃度が増大するため,クレアチニンクリアランスに応じて,下表のとおり投与量の調節が必要である.
なお,クレアチニンクリアランスが10mL/min未満の患者への投与は禁忌である.
- 成人患者の腎機能に対応する用法・用量の目安(外国人データ)
腎障害を有する小児患者では,各患者の腎クリアランスと体重を考慮して,個別に用量を調整すること.
慎重投与
- 腎障害のある患者〔高い血中濃度が持続するおそれがある.(「用法・用量に関連する使用上の注意」の項参照)〕
- 肝障害のある患者〔高い血中濃度が持続するおそれがある.〕
- 高齢者〔高い血中濃度が持続するおそれがある.(「高齢者への投与」の項参照)〕
- てんかん等の痙攣性疾患又はこれらの既往歴のある患者〔痙攣を発現するおそれがある.〕
重大な副作用
ショック,アナフィラキシー様症状
頻度不明
- ショック,アナフィラキシー様症状(呼吸困難,血圧低下,蕁麻疹,発赤等)があらわれることがあるので,観察を十分に行い,異常が認められた場合には投与を中止し,適切な処置を行うこと.
痙攣
頻度不明
- 異常が認められた場合には,投与を中止し,適切な処置を行うこと.
肝機能障害,黄疸
頻度不明
- AST(GOT),ALT(GPT),γ-GTP,LDH,Al-Pの上昇等の肝機能障害(初期症状:全身倦怠感,食欲不振,発熱,嘔気等),黄疸があらわれることがあるので,観察を十分に行い,異常が認められた場合には投与を中止し,適切な処置を行うこと.
血小板減少
頻度不明
- 血小板減少があらわれることがあるので,観察を十分に行い,異常が認められた場合には投与を中止し,適切な処置を行うこと.
薬効薬理
- 抗ヒスタミン薬(H1受容体遮断薬)であるが,ロイコトリエン及びプロスタグランジンD2の遊離抑制作用を併せ持つ.古典的な抗ヒスタミン剤と異なり,抗コリン作用はほとんどない.また,ヒスタミンH2,ドパミン,セロトニンの各受容体に対する親和性は低く,中枢神経系におけるヒスタミンH1受容体への影響が少ないとされる3).
有効成分に関する理化学的知見
一般名
- セチリジン塩酸塩(Cetirizine Hydrochloride)
化学名
- 2-(2-{4-[(RS )-(4-Chlorophenyl)(phenyl)methyl]piperazin-1-yl}ethoxy)acetic acid dihydrochloride
分子式
分子量
性状
- ・ 白色の結晶性の粉末である.
- ・ 水に極めて溶けやすく,エタノール(99.5)に溶けにくい.0.1mol/L塩酸試液に溶ける.
- ・ 水溶液(1→10)は旋光性を示さない.
★リンクテーブル★
[★]
ケイ素、硅素、珪素、(多くはシリコン樹脂の意味=silicone)シリコン
- 関
- Si
[★]
- 英
- silicon
- 関
- ケイ素、シリコン、硅素
[★]
- 英
- silicon
- 関
- ケイ素、シリコン、珪素
[★]
- 英
- silicon
- 関
- ケイ素、硅素、珪素
[★]
ケイ素
- 関
- silicon
[★]
- 英
- silicon dioxide
- 関
- シリカ、砂、クリストバル石
[★]
- 英
- silicone
- 関
- シリコーン
[★]
- 英
- organosilicon compound