電子ボルト

英

electron volt, eV

同

エレクトロンボルト、エレクトロン・ボルト

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出典(authority):フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』「2012/12/25 18:39:48」(JST)

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電子ボルト （エレクトロンボルト）
記号	eV
系	SI併用単位(SI単位で表される数値が実験的に得られるもの)
量	エネルギー
SI	1.602 176 565(35)×10−19 J (2010 CODATA)
定義	電子1個を1Vの電位差で加速したときのエネルギー

電子ボルト（でんしボルト、エレクトロンボルト、electron volt、記号 eV）は、エネルギーの単位である。エレクトロンボルトともいう。素粒子の質量の単位としても使われる。

1 V の電位差がある自由空間内で電子 1 つが得るエネルギーを 1 eV とする。非常に小さな単位である。1 eV の2010年CODATA推奨値は 1.602 176 565(35)×10⁻¹⁹ J（括弧内は拡張不確かさ）である[1]。質量に換算すると 1.782 661 845(39)×10⁻³⁶ kgとなる。1 eVの平均運動エネルギーをもつ気体の温度は11 604 Kとなる。

物性物理学から素粒子物理学、あるいは化学、半導体工学などの幅広い分野で使用されるエネルギーの単位である(*)。分野によって使用される桁数が大きく異なる。物性分野では数 meV - 数 eV（もっと大きい場合もある）のオーダー（1 meVが約10 Kに相当）である。素粒子分野では数 MeV - 数 GeV（あるいはそれ以上）のオーダーでの議論がなされる。電子質量は約0.5MeV、陽子質量は約1GeVに相当する。

日本語では活字での正式な表記の際には「電子ボルト」を用いることが多いが、発表・会話などではほとんどの場合「エレクトロンボルト」と読む。単に「イーヴィー」と読まれることもある。日本の高エネルギー（素粒子）分野では、MeV、GeV、TeVなどをそれぞれ、“メブ”、“ジェブ”、“テブ”などと発声する場合がある。

主な利用場面

電子ボルトは日常生活ではあまり用いられない単位と言えるが、巨視的な物質や現象を素粒子1個単位から記述するのに便利である。このため学問や産業の現場において、光子や電子、原子などの持つエネルギーを表す際に広く利用される。以下、代表的な例を幾つか挙げる。

• 物質中の電子の持つエネルギーを表現する際に用いられる。例えば外部から与えた電界によって全体の電位が1V変化すると、中の電子のポテンシャルエネルギーが1eV変化することになるため、計算上都合が良い。
  • 物質全般の価電子、自由電子などのエネルギーの表現に用いられる。
  • 半導体素子内部のバンド構造の表現に用いられる。
  • プラズマ中の電子（や原子）のエネルギーの記述に用いられる。
• 可視光域での光子1個のエネルギーは数eV単位となり、物質との相互作用の取り扱いに便利である。

脚注

関連項目

• 物理単位一覧
• エネルギーの比較

エネルギーの単位

	ジュール	キロワット時	電子ボルト	重量キログラムメートル	カロリー
1 J	= 1 kg·m²/s²	~=0.278×10−6	~=6.241×1018	~=0.102	~=0.239
1 kWh	= 3.6×106	= 1	~=22.5×1024	~=0.367×106	~=0.860×106
1 eV	~=0.1602×10−18	~=44.5×10−27	= 1	~=16.3×10−21	~=38.3×10−21
1 kgf·m	= 9.80665	~=2.72×10−6	~=0.613×1018	= 1	~=2.34
1 calIT	= 4.1868	~=1.163×10−6	~=0.261×1020	~=0.427	= 1

UpToDate Contents

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• 1. 早期（ステージIA～IIA）の菌状息肉症の治療 treatment of early stage ia to iia mycosis fungoides
• 2. 進行期（ステージIIB～IV）の菌状息肉症の治療 treatment of advanced stage iib to iv mycosis fungoides
• 3. 表皮水疱症の診断 diagnosis of epidermolysis bullosa
• 4. 膜性増殖性糸球体腎炎の臨床像、分類、および原因 clinical presentation classification and causes of membranoproliferative glomerulonephritis
• 5. Kindler syndrome

Japanese Journal

• GRB起源PeV-EeVタウニュートリノ初探査(最近の研究から)

• 日本物理學會誌 67(10), 710-714, 2012-10-05
• NAID 110009518084

• 4.MMTプラズマを用いたゲート絶縁膜形成(<小特集>実用化プロセスにおけるプラズマ源の革新〜平行平板プラズマ源から新プラズマ源へ〜)

• プラズマ・核融合学会誌 87(1), 14-17, 2011-01-25
• NAID 110008441037

• 物理学 総力戦で初期宇宙に迫る

• 日経サイエンス 40(6), 76-91, 2010-06
• NAID 40017093190

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