高頻度振動換気法 high-frequency oscillatory ventilation
WordNet
- the 8th letter of the Roman alphabet (同)h
PrepTutorEJDIC
- hydrogenの化学記号
- 鉛筆の硬度 / 《俗》heroin
- high frequency 短波,高周波
Wikipedia preview
出典(authority):フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』「2017/06/03 00:12:23」(JST)
[Wiki ja表示]
次亜フッ素酸 |
|
|
|
識別情報 |
CAS登録番号 |
14034-79-8 |
|
特性 |
化学式 |
HFO |
モル質量 |
36.0057 g mol−1 |
外観 |
−117 ℃以上で黄色液体
−117 ℃以下で白色固体 |
融点 |
−117 ℃
|
沸点 |
< 0 °C
0 ℃で分解
|
関連する物質 |
その他の陽イオン |
次亜フッ素酸リチウム |
関連物質 |
次亜塩素酸 |
特記なき場合、データは常温 (25 °C)・常圧 (100 kPa) におけるものである。 |
次亜フッ素酸(じあフッそさん、hypofluorous acid)は化学式 HFO で表される化合物。Hから始まる化学式を持っているものの、酸性を示さない。
性質
水とフッ素または二フッ化酸素が反応して生成する極めて不安定な化合物で、すぐにフッ化水素と酸素に分解する。
詳細は「フッ化酸素#二フッ化酸素」を参照
フッ素のオキソ酸で存在が確認されているのは、この化合物のみである。アセトニトリルとの錯体が知られており、これは遊離の状態に比べればかなり安定で室温で数時間程度保存できる。
構造
水素-酸素-フッ素の順に結合した分子である。マイクロ波分光法のデータからの計算によれば、水素-酸素間の結合距離は 0.964 ± 0.01 Å、酸素-フッ素間の結合距離は 1.442 ± 0.001 Å、水素-酸素-フッ素の結合角は 97.2 ± 0.6 °である。
関連項目
水素の化合物 |
二元化合物 |
- CH4
- HAt
- HBr
- HCl
- HF
- HI
- HN3
- H2O
- H2O2
- H2O3
- H2S
- H2S2
- H2Se
- NH3
|
多元化合物 |
- H[AuCl4]
- HBF4
- HCN
- H2CS3
- H[CuCl2]
- H2[CuCl4]
- HNC
- H2[PtCl4]
- H2[PtCl6]
- HSCN
- H2SiF6
- HSNC
オキソ酸 |
- H3AsO4
- H5As3O10
- HBiO3
- HBO2
- H3BO3
- HBrO
- HBrO2
- HBrO3
- HBrO4
- HClO
- HClO2
- HClO3
- HClO4
- HClO5
- H2CrO4
- H2Cr2O7
- H2CO3
- H2CO4
- HFO
- HIO
- HIO3
- HIO4
- H5IO6
- HMnO4
- H2MoO4
- HNCO
- HNO2
- HNO3
- HNO4
- H2N2O2
- HOCN
- HCNO
- HPH2O2
- H2PHO3
- H3PO3
- H3PO4
- H3PO5
- H4P2O7
- H4P2O8
- H5P3O10
- HReO4
- HRuO4
- H2RuO4
- H2SeO3
- H2SeO4
- H2SeO5
- H2SiO3
- H4SiO4
- H2Si2O5
- H2SO4
- H2SO5
- H2S2O3
- H2S2O4
- H2S2O6
- H2S2O7
- H2S2O8
- HTcO4
- H2TeO3
- H6TeO6
- HVO3
- H3VO4
- H4V2O7
- H2WO4
- H2XeO4
|
|
|
|
この項目は、化学に関連した書きかけの項目です。この項目を加筆・訂正などしてくださる協力者を求めています(プロジェクト:化学/Portal:化学)。 |
[Wiki en表示]
HFO may refer to:
- HealthForceOntario
- Heavy fuel oil
- Hybrid fibre-optic
- Hydrofluoroolefins, which can be used as refrigerants with low global-warming potential
- Hands Free Orgasm
- Hydrous ferric oxides
- Hypofluorous acid
English Journal
- Preferable removal of phosphate from water using hydrous zirconium oxide-based nanocomposite of high stability.
- Chen L1, Zhao X1, Pan B2, Zhang W3, Hua M4, Lv L1, Zhang W1.
- Journal of hazardous materials.J Hazard Mater.2015 Mar 2;284C:35-42. doi: 10.1016/j.jhazmat.2014.10.048. Epub 2014 Nov 4.
- In this study, we employed a new nanocomposite adsorbent HZO-201, which featured high stability under varying solution chemistry, for preferable removal of phosphate from synthetic solution and a real effluent. An anion exchange resin (D-201) was employed as the host of HZO-201, where nano-hydrous z
- PMID 25463215
- Bioenhanced dissolution of dense non-aqueous phase of trichloroethylene as affected by iron reducing conditions: Model systems and environmental samples.
- Paul L1, Smolders E2.
- Chemosphere.Chemosphere.2015 Jan;119:1113-9. doi: 10.1016/j.chemosphere.2014.09.022. Epub 2014 Oct 14.
- The anaerobic biotransformation of trichloroethylene (TCE) can be affected by competing electron acceptors such as Fe (III). This study assessed the role of Fe (III) reduction on the bioenhanced dissolution of TCE dense non-aqueous phase liquid (DNAPL). Columns were set up as 1-D diffusion cells con
- PMID 25460750
- Controlled direct growth of Al2O3-doped HfO2 films on graphene by H2O-based atomic layer deposition.
- Zheng L1, Cheng X, Yu Y, Xie Y, Li X, Wang Z.
- Physical chemistry chemical physics : PCCP.Phys Chem Chem Phys.2014 Dec 18. [Epub ahead of print]
- Graphene has been drawing worldwide attention since its discovery in 2004. In order to realize graphene-based devices, thin, uniform-coverage and pinhole-free dielectric films with high permittivity on top of graphene are required. Here we report the direct growth of Al2O3-doped HfO2 films onto grap
- PMID 25519447
Japanese Journal
- Theoretical model for artificial structure modulation of HfO2/SiOx/Si interface by deposition of a dopant material
- Umezawa Naoto,Shiraishi Kenji,白石 賢二
- Applied physics letters 100(9), 092904-1, 2012-02
- … Realization of an abrupt HfO2/Si interface without unintentional oxidation of the silicon substrate is a crucial task for the development of modern field-effect transistors. … Here, we present a theoretical model which suggests that deposition of a dopant material on the HfO2 layer turns it into an oxygen absorber, suppressing the formation of SiOx at the interface. … Tantalum is predicted as an effective dopant in HfO2 for this purpose. …
- NAID 120004057407
- Higher-k Scalability and Leakage Current Reduction of SiO-Doped HfO in Direct Tunneling Regime
- Tomida Kazuyuki,Kita Koji,Toriumi Akira
- Japanese journal of applied physics : JJAP 50(11), 111502-1-4, 2011-11
- NAID 40019072737
Related Links
- My name is Hideki Fran cis Onda (hfo). I am the founder of Focal Point (Apple prod ucts dis tri b u tion in Japan for the last 20 years), Tunewear Ltd (Man u fac turer of Apple related prod ucts). I also worked for Apple as Sales direc tor for ...
- 冷凍空調分野の学術団体。 冷凍空調システムや食品冷凍等の最新技術や研究論文リスト。 冷凍空調、食品冷凍技士等の技術者資格認定や冷凍空調技術のセミナー案内
Related Pictures
![MRI – Panorama HFO | Flickr - Photo](https://1mg.info/0/e/w/0141.jpg)
![is Composite restorations, Enamel Plus HFO](https://1mg.info/0/e/w/0142.jpg)
![HFO - Hypofluorous acid](https://1mg.info/0/e/w/0143.jpg)
![is Composite restorations, Enamel Plus HFO](https://1mg.info/0/e/w/0144.jpg)
![mail: hfojhs@yahoo.com, Twitter: @hfo_jhs](https://1mg.info/0/e/w/0145.jpg)
![with the new TECS2 HFO chillers | PRLog](https://1mg.info/0/e/w/0146.jpg)
![products chemicals hfo 1336mzz hfo 1336mzz](https://1mg.info/0/e/w/0147.jpg)
★リンクテーブル★
[★]
- 英
- high-frequency oscillatory ventilation HFO
- 同
- 高頻度振動換気、高頻度振動法 high-frequency oscillation、高頻度オッシレーション法
概念
- 気道内圧を上昇させずに呼吸を維持する人工呼吸法。
- 一回換気量を解剖学的死腔量近くにして換気数を生理学的呼吸数の4倍以上に設定する高頻度換気の一種。
[★]
高頻度振動換気 high-frequency oscillation ventilation
[★]
[★]