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Japanese Journal
- 3重障壁共鳴トンネルダイオードのデバイス物理を反映したSPICEモデリング(共鳴トンネルダイオードと回路応用,量子効果デバイス及び関連技術)
- 朝岡 直哉,須原 理彦,奥村 次徳
- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 106(521), 1-6, 2007-01-25
- … 得られた解析式は,GaAs系,InP系,SiGe系の3重障壁共鳴トンネルダイオードの実測電流-電圧特性に精度良くフィッティング可能であることがわかり,共鳴準位幅,電圧-エネルギー変換係数の評価に有効であることを示した。 …
- NAID 110006239497
- 3重障壁共鳴トンネルダイオードのデバイス物理を反映したSPICEモデリング(共鳴トンネルダイオードと回路応用,量子効果デバイス及び関連技術)
- 朝岡 直哉,須原 理彦,奥村 次徳
- 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 106(520), 1-6, 2007-01-25
- … 得られた解析式は,GaAs系,InP系,SiGe系の3重障壁共鳴トンネルダイオードの実測電流-電圧特性に精度良くフィッティング可能であることがわかり,共鳴準位幅,電圧-エネルギー変換係数の評価に有効であることを示した。 …
- NAID 110006224722
- InAs量子ドットを介した共鳴トンネリングのフォトルミネッセンス解析
- 大野 雄高,岸本 茂,前澤 宏一 [他],水谷 孝
- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 100(62), 67-72, 2000-05-12
- … これらの結果は、計算した共鳴準位幅とよく一致した。 …
- NAID 110003310619
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- [[[level]]width] エネルギー準位の幅.連続的な分布をもつエネルギー帯の幅をさすこともあるが,ふつうはある状態の不確定性原理によって生じるエネルギー準位の幅Γをさす.たとえば,原子核の場合についていえば,平均寿命をτ ...
- 準位幅 ( Γ) と寿命 ( τ) には、以下の関係があります。 τ = ( h ⁄ 2π) ⁄ Γ 従って、準位幅 ( Γ) が 0.60 MeV の場合、寿命 ( τ) は 、 τ = 1.096 × 10-21 (s) となります。また、寿命 ( τ) と半減期 ( T 1/2) は T 1/2 = ln(2) ⋅ τ の関係にT 1/2 T ...
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