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出典(authority):フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』「2013/09/02 11:36:39」(JST)

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この項目では、企業のオプトエレクトロニクスについて記述しています。工学分野のオプトエレクトロニクスについては「光エレクトロニクス」をご覧ください。

株式会社オプトエレクトロニクスは、埼玉県蕨市に本社を置く、電気機器メーカーである。バーコードリーダーのレーザーエンジン世界2位、国内シェア8割。

沿革[編集]

1976年12月 - 株式会社オプトエレクトロニクス設立。
2004年11月 - ジャスダック上場。

所在地[編集]

本社 - 埼玉県蕨市
芦別工場（北海道電子工業） - 北海道芦別市

オプトエレクトロニクス事件[編集]

概要[編集]

オプトエレクトロニクス社は、一旦採用を決め内定を出した者（以下A）に対し、Aに対する悪い「噂」を理由に採用取り消しを行った。これに対しAは以前勤務していた会社を退職後の未払い給与と, 精神的損害に対する慰謝料を求めた裁判を起こした。これに対し東京地方裁判所は原告Aの主張を全面的に認め、オプトエレクトロニクス側に未払給与および慰謝料100万円の支払いを命じた^[1]。

全体の流れ[編集]

オプトエレクトロニクス（以下被告）は2003年5月にAに対して面接を行い、6月に採用を決定し本人に内定を出した。入社予定日は7月1日であった。しかし、被告は、Aの前社での｢悪い噂｣を理由に採用内定を留保、噂に関して前社による釈明書を提出するようAに求めた。この噂はAの前社の社員（以下B）から、被告会社が個人的に聞き出したものであったが、BはAと同一部署で働いた経験はなく、伝聞情報にすぎなかった。Aは前社から噂が全く事実無根であると言う釈明書を得て、それを提出した。また被告も前社に社員を派遣し、前社役員から聞き取り調査を行い、Aに「噂」に該当するような問題は無かったとの証言を得た。にも拘らず内定留保し、「社長がもう一度面接すると言っているので, さらにあなた自身の釈明文書を提出せよ」と命じた。7月3日Aは再面接を受け、その席で社長Aに対し、再びAを雇用する旨約束した。ところが、被告は同年7月9日になって再びAに対し採用内定を取り消すとの主張を始め、7月10日付けで正式に採用内定を取り消し、本人に通知した｡その後、Aは被告に対し、内定取り消しには合理的理由がなく無効であり、労働契約は成立していたとし約2カ月分の未払い給与と、精神的被害を受けたとして、300万円の慰謝料の支払いを求めた。

判決[編集]

「悪い噂｣は伝聞にすぎず、被告はその真偽を確かめもしておらず、採用内定取り消しは解約権の濫用だとして、原告の主張を認め、被告に対し、Aに未払給与および慰謝料100万円の支払いを命じた｡

脚注[編集]

^ 東京地判平成16年6月23日労判877号13頁。

外部リンク[編集]

株式会社オプトエレクトロニクス

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Japanese Journal

オプトエレクトロニクス・光デバイス (2014年日本光学会の研究動向)

橋本俊和
光学 = Japanese journal of optics : publication of the Optical Society of Japan 44(4), 157-160, 2015-04
NAID 40020456582

革新的概念に基づく超高効率加工技術の構築（ダイラタンシー・パッド工具と液中加工システムによるSiC基板の効果的加工プロセスの確立）

土肥俊郎,瀬下清,山崎努,大坪正徳,西澤秀明,村上幸,市川大造,中村由夫,宮下忠一,川村佳秀,高木正孝,柏田太志,曾田英雄
日本機械学会論文集 81(824), 14-00618-14-00618, 2015
In this study, we propose innovative polishing method for hard-to-process semiconductor substrate such as SiC. Our innovative polishing method mainly consists of 2 technologies. One is unprecedented p …
NAID 130005066595

革新的概念に基づく超高効率加工技術の構築（ダイラタンシー・パッド工具と液中加工システムによるSiC基板の効果的加工プロセスの確立）

土肥俊郎,瀬下清,山崎努,大坪正徳,西澤秀明,村上幸,市川大造,中村由夫,宮下忠一,川村佳秀,高木正孝,柏田太志,曾田英雄
日本機械学会論文集 advpub(0), 2015
In this study, we propose innovative polishing method for hard-to-process semiconductor substrate such as SiC. Our innovative polishing method mainly consists of 2 technologies. One is unprecedented p …
NAID 130004728640

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「光電子工学」

株式会社オプトエレクトロニクス
OPTOELECTRONICS CO., LTD.
種類	株式会社
東証JQ	6664
本社所在地	〒335-0002; 埼玉県蕨市塚越4丁目12番17号
設立	1976年12月10日
業種	電気機器
代表者	代表取締役社長俵政美
資本金	7億5,963万円
売上高	単体37億38百万円; 連結85億80百万円; （2009年11月期）
純資産	単体9億67百万円; 連結36億04百万円; （2009年11月）
総資産	単体107億90百万円; 連結143億57百万円; （2009年11月）
決算期	11月30日
外部リンク	home.opto.co.jp
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