- 英
- porosity
- 関
- 空隙率
WordNet
- the property of being porous; being able to absorb fluids (同)porousness
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- 〈U〉有孔性,通気性 / 〈C〉多孔率
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Japanese Journal
- マイクロ熱プラズマジェット照射によるポーラスシリコン層上Si膜のエピタキシャル成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 林 将平,松原 良平,藤田 悠二 [他],池田 弥央,東 清一郎
- 電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 112(19), 63-66, 2012-04-20
- … 多孔度及びPS層厚増加に伴う熱拡散の抑制により、PS層上a-Si膜は容易に溶融再結晶化した。 … 多孔度42%、PS層厚20.8μm以上のPS層上a-Si膜は走査速度4000mm/sの高速条件において溶融再結晶化し、結晶化率100%の高結晶性を示した。 …
- NAID 110009564372
- マイクロ熱プラズマジェット照射によるポーラスシリコン層上Si膜のエピタキシャル成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 林 将平,松原 良平,藤田 悠二 [他],池田 弥央,東 清一郎
- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 112(18), 63-66, 2012-04-20
- … 多孔度及びPS層厚増加に伴う熱拡散の抑制により、PS層上a-Si膜は容易に溶融再結晶化した。 … 多孔度42%、PS層厚20.8μm以上のPS層上a-Si膜は走査速度4000mm/sの高速条件において溶融再結晶化し、結晶化率100%の高結晶性を示した。 …
- NAID 110009564309
- 低誘電率(Low-k)熱酸化陽極化成Siの作製と誘電特性の評価(電子材料)
- 曽根川 富博,上原 和浩,前濱 剛廣
- 電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス J94-C(10), 316-322, 2011-10-01
- … 陽極化成により多孔質化した陽極化成Siを熱酸化することで作製した.試料は,低抵抗n型Si単結晶を原材料として,陽極化成電流密度の変化で多孔度を変えた陽極化成Siを作製し,それを1000℃の酸素ガス中で熱酸化を行うことで作製した.試料の誘電率は,5×10^2〜5×10^6Hzの周波数の範囲で変化は見られない.また,電流密度100mA/cm^2で作製した多孔度73%の陽極化成Siを酸化した試料の誘電率は,k=3.0の値が得られた. …
- NAID 110008790478
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