Japanese Journal
- LaまたはAl添加によるHfSiON/SiO_2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 辰村 光介,石原 貴光,犬宮 誠治 [他],中嶋 一明,金子 明生,後藤 正和,川中 繁,木下 敦寛
- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 109(87), 71-76, 2009-06-12
- high-k/SiO_2界面のダイポール変調に起因するリモートクーロン散乱(RCS)による移動度低下と閾値電圧シフト(ΔV_t)との相関関係を、3通りのダイポール変調法、即ちAl添加、La添加、界面SiO_2層の質の変化、を適応した系について調べた。ダイポール変調とは必ずしも関係しない界面準位増加やラフネス散乱増加に由来する散乱成分は実験的に抽出・分離した。Al添加によるダイポール変調に起因するR …
- NAID 110007340814
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