膜容量

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和文文献

  • 4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
  • 梅田 享英,岡本 光央,小杉 亮治,荒井 亮,佐藤 嘉洋,原田 信介,奥村 元,牧野 高紘,大島 武
  • 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 113(87), 101-105, 2013-06-11
  • 4H-SiC MOS型電界効果トランジスタ(MOSFET)はノーマリーオフ,高パワー密度,超低損失のパワーデバイスとして期待され,実用化が進められている.しかし,そのMOS界面は大きな問題を抱えており,界面準位の起源もいまだにはっきりしていない.そこで4H-SiC MOSFETのMOS界面を電流検出電子スピン共鳴分光法(EDMR)で測定し,MOS界面準位の起源について調べた.その結果,4H-SiC …
  • NAID 110009779112
  • FTIR-ATRスペクトルによる4H-SiCと熱酸化膜の界面構造の解析(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
  • 喜多 浩之,平井 悠久
  • 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 113(87), 97-100, 2013-06-11
  • SiC上に熱酸化膜を成長させるとき,界面のごく近傍ではSiCの影響を受けてSiO_2の構造や化学状態の変化を生じたものが成長することが予想される。赤外分光測定は,これらのSiO_2の微視的構造変化に敏感なツールである。本研究では熱酸化膜をフッ酸溶液中でエッチングを繰り返し行って段階的に薄膜化しながら赤外分光測定を行うことで膜厚依存性を評価した。その結果,SiCとの界面近傍の〜数nm程度の領域では圧 …
  • NAID 110009779111
  • SiC酸化メカニズム解明への試み : Si酸化との共通点/異なる点(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
  • 土方 泰斗,八木 修平,矢口 裕之
  • 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 113(87), 91-96, 2013-06-11
  • SiC半導体を用いたパワーMOSFETが従来のSi系パワーデバイスを凌駕するには,SiC酸化メカニズムのより一層の理解が不可欠である.本稿では,SiCの酸化メカニズムに対し,何がどこまでわかったかを総括し,Si酸化との共通点と相違点を織り交ぜながら近年の研究事例や課題を紹介していく.
  • NAID 110009779110

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時間遅れを生じる。 例 無髄軸索の電気モデル 軸索抵抗の抵抗率ρa を 2Ωm、膜容量C mは10-2F/m2、膜抵抗R は0.2Ωm2、軸索の 半径a を5×10-6m とする。長さ1mm あたりで考えると、 軸索抵抗は 3 7 2 6 2 2110 2.5 10 [ ] 510 R a
膜容量測定法の原理 全細胞記録(whole-cell clamp recording)の電気的等価回路モデルには、アクセスコンダクタンス(Gs)、膜コンダクタンス(Gm)、膜容量(Cm)の3つの定数がある。これらの定数は、正弦波状の膜電位固定を行った時、電流 ...

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