外挿値

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和文文献

  • 低グレージング入射時におけるランダム粗面の散乱断面積および散乱特性の正確な算定について
  • 尹 光烈,立居場 光生,内田 一徳
  • 電気学会研究会資料.  : The Papers of Technical Meeting on Electromagnetic Theory, IEE Japan. EMT, 電磁界理論研究会 2000(83), 49-54, 2000-10-26
  • NAID 10014144383
  • AlGaN/GaN HJFETの作製と評価
  • 国弘 和明,笠原 健資,大久保 哲,高橋 裕之,大野 泰夫
  • 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 98(384), 65-70, 1998-11-06
  • … ゲート電流から見積もった衝突イオン化係数は、MCシミュレーションの低電界側外挿値と矛盾しておらず、破壊電界はGaAsに比べ5-6倍高いことが実験的に裏づけられた。 …
  • NAID 110003200657

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