- n.
Wikipedia preview
出典(authority):フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』「2015/09/07 23:05:51」(JST)
wiki en
UpToDate Contents
全文を閲覧するには購読必要です。 To read the full text you will need to subscribe.
- 1. 脳深部刺激装置の埋込を行う患者のための麻酔 anesthesia for patients having deep brain stimulator implantation
- 2. 骨パジェット病の臨床症状および診断 clinical manifestations and diagnosis of paget disease of bone
- 3. 禿髪性毛嚢炎 folliculitis decalvans
- 4. 持続的腹膜透析における腹部ヘルニア abdominal hernias in continuous peritoneal dialysis
- 5. Overview of surgical and endovascular techniques for upper extremity revascularization
English Journal
- Exploring the Intrinsic Piezofluorochromic Mechanism of TPE-An by STS Technique.
- Jin S1, Tian Y, Liu F, Deng S, Chen J, Xu N.
- Nanoscale research letters.Nanoscale Res Lett.2015 Dec;10(1):1036. Epub 2015 Sep 3.
- 9,10-bis(4-(1,2,2-triphenylvinyl)styryl)anthracene (TPE-An) materials have attracted considerable attention in recent years because they have high luminescence efficiency and excellent piezofluorochromic properties, which have potential applications in organic light-emitting display (OLED) area. Sca
- PMID 26334542
- Effects of Energy Relaxation via Quantum Coupling Among Three-Dimensional Motion on the Tunneling Current of Graphene Field-Effect Transistors.
- Mao LF1, Ning H, Li X.
- Nanoscale research letters.Nanoscale Res Lett.2015 Dec;10(1):1039. doi: 10.1186/s11671-015-1039-4. Epub 2015 Aug 12.
- We report theoretical study of the effects of energy relaxation on the tunneling current through the oxide layer of a two-dimensional graphene field-effect transistor. In the channel, when three-dimensional electron thermal motion is considered in the Schrödinger equation, the gate leakage current
- PMID 26264688
- Electronic Coupling in Nanoscale InAs/GaAs Quantum Dot Pairs Separated by a Thin Ga(Al)As Spacer.
- Liu Y1, Liang B, Guo Q, Wang S, Fu G, Fu N, Wang ZM, Mazur YI, Salamo GJ.
- Nanoscale research letters.Nanoscale Res Lett.2015 Dec;10(1):973. doi: 10.1186/s11671-015-0973-5. Epub 2015 Jun 26.
- The electronic coupling in vertically aligned InAs/GaAs quantum dot (QD) pairs is investigated by photoluminescence (PL) measurements. A thin Al0.5Ga0.5As barrier greatly changes the energy transfer process and the optical performance of the QD pairs. As a result, the QD PL intensity ratio shows dif
- PMID 26123271
Japanese Journal
- Growth and Features of Epitaxial Graphene on SiC
- Journal of the Physical Society of Japan 84(12), 2015-10-26
- NAID 160000000911
- 山岳トンネルの時間依存性挙動の簡易評価手法
- 土木技術資料 = Civil engineering journal : 土木技術の総合情報誌 57(10), 34-37, 2015-10
- NAID 40020599727
- Analysis of electron emission from GaAs(Cs,O) by low energy electron microscopy
- Jpn. J. Appl. Phys. 54(10), 101201, 2015-09-15
- NAID 150000111397
Related Links
- また、このデバイスを開始できません。 (コード 10)との表示もあります。PC自体は稼動していますが、CPUに負荷が掛かっています。解消方法を教えてください。
- こんにちは。 uham さん、つけまさん、コメントありがとうございます。 和谷義高さん、マイクロソフト コミュニティをご利用いただき、ありがとうございます。 デバイス マネージャーの Microsoft Teredo Tunneling Adapter に ! マークが表示 ...
Related Pictures
★リンクテーブル★
| リンク元 | 「トンネル効果」「tunnelling」「トンネリング」 |
| 拡張検索 | 「scanning tunneling microscopy」「scanning tunneling microscope」「tunneling effect」 |
「トンネル効果」
- 英
- tunneling effect、tunneling、((英))tunnelling
- 関
- トンネリング
「tunnelling」
「トンネリング」
- 関
- トンネル効果