English Journal
- The clinical utility of an index of global oxygenation for guiding red blood cell transfusion in cardiac surgery.
- Orlov D, O'Farrell R, McCluskey SA, Carroll J, Poonawala H, Hozhabri S, Karkouti K.SourceFaculty of Medicine, Department of Anesthesia, Toronto General Hospital, Toronto, Ontario, Canada.
- Transfusion.Transfusion.2009 Apr;49(4):682-8.
- BACKGROUND: This observational study explored the potential utility of oxygen extraction ratio (O2ER) as an adjunct to the hemoglobin (Hb) concentration for guiding red blood cell (RBC) transfusion decisions after cardiac surgery with cardiopulmonary bypass (CPB).STUDY DESIGN AND METHODS: Hb and O2E
- PMID 19347976
- Pathophysiology of critical ill patients: focus on critical oxygen delivery.
- Mansjoer A, George YW.SourceDepartment of Internal Medicine, Faculty of Medicine, University of Indonesia-dr. Cipto Mangunkusumo Hospital, Jalan Diponegoro no. 71, Jakarta. arif.mansjoer@gmail.com
- Acta medica Indonesiana.Acta Med Indones.2008 Jul;40(3):161-70.
- Critical ill patients experience acute physiological changes because the body cannot fulfill the oxygen demand to perform normal aerobic metabolism. Factors determining oxygen delivery include cardiac output, hemoglobin, and oxygen saturation. Incapability to fulfill adequate oxygen of the body to p
- PMID 18838756
Japanese Journal
- 減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性(<小特集>III族窒化物研究の最前線)
- 小泉 淳,藤原 康文,井上 堅太郎,吉兼 豪勇,竹田 美和
- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 102(81), 37-42, 2002-05-17
- pn制御したGaInP/EL,O共添加GaAs/GaInP構造を有機金属気相エピタキシャル法により作製し、その電流注入による発光特性を評価した。Er添加には原料にEr(i-PrCp)_3を、酸素添加にアルゴンで希釈した^<18>O_2を用いた。GaAs:Er,O層とGaInP層は、両者の界面での中間層の形成を抑制するために、ともに540℃で成長した。SIMS測定による深さプロファイルか …
- NAID 110003311013
- 減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性(<小特集>III族窒化物研究の最前線)
- 小泉 淳,藤原 康文,井上 堅太郎,吉兼 豪勇,竹田 美和
- 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 102(77), 37-42, 2002-05-17
- pn制御したGaInP/EL,O共添加GaAs/GaInP構造を有機金属気相エピタキシャル法により作製し、その電流注入による発光特性を評価した。Er添加には原料にEr(i-PrCp)_3を、酸素添加にアルゴンで希釈した^18O_2を用いた。GaAs:Er,O層とGaInP層は、両者の界面での中間層の形成を抑制するために、ともに540℃で成長した。SIMS測定による深さプロファイルからErは活性層に …
- NAID 110003175311
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