N領域

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和文文献

  • n-ch,p-ch,pin-ch poly-Si TFPTの光伝導性の評価(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術)
  • 電子情報通信学会技術研究報告. EID, 電子ディスプレイ 114(359), 41-44, 2014-12-05
  • NAID 110009977661
  • n-ch,p-ch,pin-ch poly-Si TFPTの光伝導性の評価(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術)
  • 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 114(360), 41-44, 2014-12-05
  • NAID 110009977542
  • 拡張された負性抵抗領域を持つメゾスコピック超伝導SNS接合アレー素子のセンサ応用(マイクロ波ミリ波、一般)
  • 電子情報通信学会技術研究報告. MW, マイクロ波 112(217), 43-48, 2012-09-20
  • NAID 110009666339

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N領域の挿入とは、抗体遺伝子にはない遺伝子が入ることである。これによって可変部の構造が変化する。また遺伝子の再編成時にずれが生じることがあり、これによっても多様性が生じる。 ヘプタマー・ノナマーの法則 VDJが選ばれる ...
p形シリコン基板上に二つのn + 領域を拡散法で作り、一方をソース、他方をドレーンとする。ここで「+」は不純物濃度が高いことを意味している。ソース・ドレーン間の基板上にはゲート酸化膜(SiO 2 )を挟んでゲート電極が作られる。

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関連記事N」「Nd」「n

N」

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「the 14th letter of the Roman alphabet」
n

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「nitrogenの化学記号」

Nd」

  [★] ネオジム neodymium

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「neodymiumの化学記号」

n」

  [★]

  • n.
number of experimentsample size
  • pの前の[n]はmと記載する。synptom→symptom




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