電気陰性度

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electronegativity

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和文文献

  • 窒化シリコン中の窒素空孔に導入された元素が電子トラップ準位に与える影響(プロセス・デバイス・回路シュミレーション及び一般)
  • 園田 賢一郎,佃 栄次,谷沢 元昭 [他],石川 清志,山口 泰男
  • 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 113(296), 21-26, 2013-11-07
  • … ン中の電子トラップ準位に与える影響を密度汎関数法を用いて調べた.水素,酸素とフッ素は窒素空孔に容易に入るのに対して,シリコンと塩素は入りにくい.窒素空孔への原子の入りやすさは共有結合半径と電気陰性度で説明できる.また,窒素空孔の熱力学的に安定な荷電状態の範囲は導入された原子の種類と数によって±1あるいは±2となる.さらに,荷電状態の範囲が±1となる欠陥の方が±2の欠陥より書き込み後の電子のト …
  • NAID 110009889349
  • 20aGB-11 高温超伝導物質の臨界温度T_cと軌道電気陰性度の関係(20aGB 高温超伝導1(伝導,物質開発),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
  • 巻野 勇喜雄,吉村 一良
  • 日本物理学会講演概要集 67(2-3), 506, 2012-08-24
  • NAID 110009600306
  • 金属の水素吸蔵と周期表(ヘッドライン:周期表を読む)
  • 草田 康平,北川 宏
  • 化学と教育 60(8), 336-339, 2012-08-20
  • NAID 110009496264

関連リンク

電気陰性度 (electric negative degree) 神谷 光治 ・陰性&陽性 (negative & positive) 陰性が強い、陽性が強いというのは元素のどういう特性が原因となっているからか? 陰性がもっとも強いのはF(フッ素)です。電子と原子核というのは ...
電気陰性度(でんきいんせいど、英: electronegativity )は、分子内の原子が電子を引き寄せる強さの相対的な尺度であり、ギリシャ文字のχで表される [1]。 異種の原子同士が化学結合しているとする。このとき、各原子における電子の ...

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  • 電気陰性度

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「(chemistry) the tendency of an atom or radical to attract electrons in the formation of an ionic bond」
negativity

陰性」

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negativitynegativecryptic
潜在性ネガティブ隠れた否定的


電気」

  [★]

electricityelectroelectric
エレクトロ電気的

度」

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温度




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