時定数分布

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和文文献

  • SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
  • 村松 徹,葛西 誠也,谷田部 然治
  • 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111(426), 89-93, 2012-01-31
  • … 波雑音の素子サイズ依存性の評価及びその解析を行った.本素子ではゲート絶縁膜であるSiN中の電子トラップ充放電による雑音が観測された.ナノワイヤ幅の微細化にともない雑音強度が増加すると同時に,スペクトル形状が1/fから1/f^2に連続的に変化した.電子トラップ分布を仮定したスペクトル計算を行い,特定の時定数を有するトラップの時定数分布広がりによってスペクトルの形状が連続的に変化することを説明する. …
  • NAID 110009482046
  • SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
  • 村松 徹,葛西 誠也,谷田部 然治
  • 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 111(425), 89-93, 2012-01-31
  • … 波雑音の素子サイズ依存性の評価及びその解析を行った.本素子ではゲート絶縁膜であるSiN中の電子トラップ充放電による雑音が観測された.ナノワイヤ幅の微細化にともない雑音強度が増加すると同時に,スペクトル形状が1/fから1/f^2に連続的に変化した.電子トラップ分布を仮定したスペクトル計算を行い,特定の時定数を有するトラップの時定数分布広がりによってスペクトルの形状が連続的に変化することを説明する. …
  • NAID 110009481865

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