ゲート電流

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和文文献

  • MOS構造の重イオン照射誘起電流及びトータルドーズ効果(半導体材料・デバイス)
  • 高橋 芳浩,平尾 敏雄,小野田 忍
  • 電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス J95-C(9), 196-203, 2012-09-01
  • MOS構造に重イオンを照射した際にゲート電極で観測される過渡電流の発生メカニズム,及びトータルドーズ効果による同電流の変化について検討を行った.AlゲートMOSFETのゲート領域に照射を行った結果,正及び負のピークを有する過渡電流がゲート電極に誘起され,また,その時間積分値は照射中のゲート電圧によらず0に収束することが分かった.これより,重イオン照射誘起ゲート電流は変位電流成分が支配的であることを …
  • NAID 110009495486
  • フラックスゲート電流センサの開発
  • 渡邊 佳正,西沢 博志,仲嶋 一,平位 隆史
  • 電気学会研究会資料. IM, 計測研究会 2011(26), 7-12, 2011-07-29
  • NAID 10031129071
  • 大規模アレイTEGによるトンネル絶縁膜の微小・局所的ゲート電流の統計的評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
  • 熊谷 勇喜,寺本 章伸,須川 成利 [他],諏訪 智之,大見 忠弘
  • 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 107(85), 27-32, 2007-05-31
  • トンネル絶縁膜における異常リーク電流は、電流密度としては大きいが、局所的に小面積で発生する。そのため、リーク電流を解析するためには、小面積のパターンで微小電流を多数個測定し、統計的な評価を行うことが必須である。本研究で新たに開発した大規模アレイTEGを用いて、約100万個のトランジスタのトンネル絶縁膜を流れる10^<-15>A程度のゲート電流について、電気的ストレス依存性・測定温度依存 …
  • NAID 110006343322

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その電流値を求める式に答えがあります。 Cissって、何かわかりますか? ゲートの入力容量です。 MOS-FETのゲートには確かにほとんど電流は流れませんが (電圧だけ掛ければよい) ここには容量(コンデンサ成分)があります。
つまり、ゲートからドレインやソースに電流が流れないのです。これはバイポーラトランジスタと比べると大きな違いです。ゲートに流れる電流を考えずにすむので、非常に便利です *2) 。 p型の記号のゲートには、n型とは ...

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