英: iontophoresis、iontophoretic
関: イオン泳動、イオン泳動的、イオントフォレシス、イオントフォレーシス、イオン導入法、イオン導入

WordNet

therapy that uses a local electric current to introduce the ions of a medicine into the tissues (同)ionic medication, iontotherapy, electromotive drug administration, EMDA

Wikipedia preview

出典(authority):フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』「2015/07/29 11:24:26」(JST)

wiki ja

イオン注入（イオンちゅうにゅう、英語: ion implantation）は、物質のイオンを固体に注入する加工方法である。イオン注入は固体の特性を変化させる点で材料工学に属し、工業的には半導体の生産に使用され、金属の表面処理など様々な材料科学の研究などが行われている。イオン注入は、対象の物質と別の元素を注入することにより、物質に化学的変化を与えると同時に、物質の破損または破壊など、構造的な変化も与える。

一般的なイオン注入装置は、目的とする元素のイオンを発生させるイオン源、必要なイオンだけを取り出す質量分析器、イオンを電気的に加速する加速器、対象物であるターゲットを高真空状態とするチャンバーから成る。イオンは単一の元素が使われる。このため、ドーズ量と呼ばれる注入された物質の総量は、イオン電流の時間積分で与えられる。イオン注入によって与えられる電流は、μAで表されるほど小さい。

一般的なイオンの加速エネルギーは10-500keV（1,600-80,000aJ）の範囲で使用される。1-10keVの範囲でも使用することは可能だが、イオンが表面近くの数nm程度のところで停止するため実用的ではない。さらに対象物の損傷を小さくする場合は、イオンビーム成長が用いられる。また、通常の加速器ではさらに高い5MeV程度の加速エネルギーまで印加可能であるが、対象の損傷が大きく、また、深さ方向の分布も広がるため、実効的な変化量は小さくなる。

打ち込まれたイオンはイオンと対象物の種別の他に、加速器で与えられる運動エネルギーと対象物質と衝突散乱による運動量の喪失によってその飛程、つまり浸透して停止する深さが決まり、そのバラツキはほぼガウス分布に従う。イオンは対象物の原子との衝突、および電子軌道のオーバーラップによる効力などにより次第にエネルギーを失っていく。多くの場合、注入深さは10nmから1μm程度である。対象物の結晶原子の配列方向が打ち込み方向と同一の場合には、原子の間をトンネルのようにすり抜けるものが出るため、深さの制御が難しくなる。これを避けるため結晶方向からは少し傾けて打ち込まれる。イオン注入は対象物の表面付近で化学変化・構造変化が求められる場合に特に有効である。

1 半導体の製造
- 1.1 ドーパント注入
- 1.2 Co-Implantation
- 1.3 PAI（Pre-Amorphization Implantation）
- 1.4 SOI（Silicon on Insulator）
- 1.5 素子分離(アイソレーション)
2 イオン注入装置の分類
- 2.1 高電流イオン注入装置
- 2.2 中電流イオン注入装置
- 2.3 高エネルギーイオン注入装置
3 脚注

半導体の製造

ドーパント注入

イオン注入が最も一般的に用いられるのは、半導体中へのドーパント注入である。半導体がシリコンの場合、普通ボロン、リン、砒素など純度の高いドーパント原子であり、ドーパント原子のボロンは三フッ化ホウ素（BF₃）ガス、リンはホスフィン（PH₃）ガス、砒素はアルシン（AsH₃）ガスが一般的に使われ、数KeVからMeV級のエネルギーで加速する。これらは腐食性や発火性、致死性が高いなど危険なガスである。ドーパントが注入されることにより、半導体中にキャリアとして電子または正孔を作り、半導体の伝導性を変化させる。打ち込まれたばかりのイオンは半導体原子の結晶に並ばないため不活性であり、結晶格子も格子欠陥が生じるため修復する必要がある。このため注入後は加熱によって結晶格子を整えるためにアニール処理を行なう。半導体のプロセス中のトランジスタ形成などの浅い打ち込み後には、熱拡散させないように熱線の照射による短時間加熱を行うラピッド・サーマル・アニール（Rapid thermal anneal, RTA）処理が行われる^[1]。

Co-Implantation

ドーパント原子と共に炭素（C）、窒素（N）、フッ素（F）等の原子を注入することにより、熱処理時のドーパントの拡散が抑制される効果が得られる。浅い接合を形成するために用いられることがある。

PAI（Pre-Amorphization Implantation）

ドーパント注入の前にゲルマニウム等の重いイオンをシリコン基板に注入することにより、シリコン基板の表面をアモルファス状態に変質させる。これにより、ドーパント注入時のチャネリング現象を抑制できるため、浅い接合の形成が可能となる。

SOI（Silicon on Insulator）

酸素をシリコン基板中に高エネルギー・高濃度で注入した後、熱処理を行うことにより、シリコン基板の深い所にシリコン酸化物の層を形成する。シリコン酸化物が絶縁体であるため、SOI（Silicon on Insulator）構造となる。

素子分離(アイソレーション)

ヒ化ガリウム等の化合物半導体では、素子間の分離(アイソレーション)にイオン注入を用いる場合がある。イオン注入がエピ構造を破壊すると同時に、ドーパントがバンドギャップ中に深い準位を形成し、高抵抗となる。

イオン注入装置の分類

1台の装置で全てのイオン注入条件をカバーできるわけではなく、希望する加速エネルギー・ドーズ量の範囲によって数種類の装置を使い分けなければならないのが現状である。

高電流イオン注入装置

ミリアンペアオーダーの高電流イオンビームを発生できるように設計された装置。電界効果トランジスタのソース・ドレイン領域のように、高濃度のドーパント注入が必要な領域へのイオン注入に用いられる。通常、低加速エネルギー(<5keV)の注入にも対応できる装置構造になっており、ビームラインの長さは短い。最大の加速エネルギーは数10keV程度。

中電流イオン注入装置

発生させることができるイオンビーム電流はマイクロアンペアオーダーであり、比較的低濃度のドーパントを精密注入するときに用いられる。数keVから数100keVの範囲でイオンを加速することができるため汎用性が高く、通常の半導体デバイスの製造工程において適用工定数が最も多い。

高エネルギーイオン注入装置

深い領域へのイオン注入を行うための装置。装置には大規模な加速機構が備わっており、2価以上の多価イオンを用いることで最大数MeVまでイオンを加速することも可能である。発生させることのできるイオンビーム電流はマイクロアンペアオーダー。

脚注

^ 「半導体LSIのできるまで」編集委員会編著『よくわかる半導体LSIのできるまで』日刊工業新聞社、2004年、改訂第2版。ISBN 4-526-05375-9。

ウィキメディア・コモンズには、イオン注入に関連するカテゴリがあります。

この項目は、工学・技術に関連した書きかけの項目です。この項目を加筆・訂正などしてくださる協力者を求めています。

UpToDate Contents

全文を閲覧するには購読必要です。 To read the full text you will need to subscribe.

1. 非動脈炎性前部虚血性視神経症：疫学、発症機序、および病因 nonarteritic anterior ischemic optic neuropathy epidemiology pathogenesis and etiologies
2. 後部虚血性視神経症 posterior ischemic optic neuropathy
3. 非動脈炎性前部虚血性視神経症：臨床的特徴および診断 nonarteritic anterior ischemic optic neuropathy clinical features and diagnosis
4. 非動脈炎性虚血性視神経症：予後および治療 nonarteritic ischemic optic neuropathy prognosis and treatment
5. Postoperative visual loss after anesthesia for nonocular surgery

Japanese Journal

Mg斜めイオン注入GaN MISFET

電気学会論文誌. C 136(4), 444-448, 2016
NAID 130005141658

クラスターイオン注入によるCMOSセンサのゲッタリング技術

表面科学 37(3), 104-109, 2016
NAID 130005138634

招待講演イオン注入技術の現状と課題 (シリコン材料・デバイス)

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115(280), 1-6, 2015-10-29
NAID 40020650338

Related Pictures

★リンクテーブル★

リンク元	「イオントフォレーシス」「イオン泳動」「イオン導入法」「イオン導入」「イオントフォレシス」
拡張検索	「電気的微小イオン注入」
関連記事	「注入」「イオ」「イオン」