外挿値

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• 1. 進行期（III/IV）濾胞性リンパ腫の初期治療 initial treatment of advanced stage iii iv follicular lymphoma
• 2. 診断的検査の評価 evaluating diagnostic tests
• 3. 妊娠中の栄養 nutrition in pregnancy
• 4. 造影剤に対する即時型過敏反応：再発反応の予防 immediate hypersensitivity reactions to radiocontrast media prevention of recurrent reactions
• 5. 前立腺癌のスクリーニング screening for prostate cancer

Japanese Journal

• 低グレｰジング入射時におけるランダム粗面の散乱断面積および散乱特性の正確な算定について

• 尹 光烈,立居場 光生,内田 一徳
• 電気学会研究会資料.  : The Papers of Technical Meeting on Electromagnetic Theory, IEE Japan. EMT, 電磁界理論研究会 2000(83), 49-54, 2000-10-26
• NAID 10014144383

• AlGaN/GaN HJFETの作製と評価

• 国弘 和明,笠原 健資,大久保 哲,高橋 裕之,大野 泰夫
• 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 98(384), 65-70, 1998-11-06
• … ゲート電流から見積もった衝突イオン化係数は、MCシミュレーションの低電界側外挿値と矛盾しておらず、破壊電界はGaAsに比べ5-6倍高いことが実験的に裏づけられた。 …
• NAID 110003200657

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英

value

関

価値、評価